Guía de las características, aplicaciones, hoja de datos y alternativas de Fuji 7MBR35SB120

El 7MBR35SB120 es un módulo IGBT de alto rendimiento (transistor bipolar de puerta aislada) desarrollado por Fuji Electric.Con su diseño compacto, excelente gestión térmica y baja pérdida de energía, el 7MBR35SB120 es altamente adecuado para una gama de aplicaciones industriales que requieren una conversión de energía confiable y eficiente.

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Descripción general 7MBR35SB120

El 7MBR35SB120 es un módulo IGBT de alto rendimiento de Fuji Electric, ideal para la electrónica de energía industrial.Con una clasificación de voltaje de 1200 V y una capacidad de corriente continua de 35A a 80 ° C, ofrece un cambio de potencia eficiente para aplicaciones exigentes.El módulo presenta un voltaje de saturación de emisor de colector bajo (V_{CE (SAT)} ≤ 2.7V), asegurando una pérdida de energía mínima.Está diseñado con un paquete PIM compacto (módulo integrado de potencia) para una fácil integración en sistemas, que ofrece una gestión térmica robusta con una resistencia térmica de aproximadamente 0.52 ° C/W.Además, admite una corriente máxima de 70a para duraciones cortas y opera en temperaturas de hasta 150 ° C.

Las aplicaciones comunes incluyen inversores para unidades de motor, amplificadores de accionamiento de servomotrenales para un control de movimiento preciso y sistemas UPS para una copia de seguridad de potencia confiable.Con puentes y termistores de diodos integrados para el monitoreo de la temperatura, este módulo es una excelente opción para los sistemas industriales.Para pedidos y consultas a granel, contáctenos hoy para obtener precios competitivos.

7MBR35SB120 Fabricante

El 7MBR35SB120 está hecho porFuji Electric Co., Ltd., Una empresa japonesa establecida en 1923 a través de una colaboración entre Furukawa Electric y Siemens AG.Con sede en Tokio, Fuji Electric se especializa en tecnologías de energía y energía térmica, contribuyendo a la infraestructura industrial y social en todo el mundo.Con más de un siglo de innovación, la compañía ofrece una amplia gama de productos, que incluyen semiconductores de energía, sistemas de automatización industrial y soluciones de gestión de energía.

Características 7MBR35SB120

• Voltaje de saturación de bajo colector-emisor (V_{CE (SAT)}): Asegura pérdidas mínimas de conducción, mejorando la eficiencia general.

• Paquete compacto: 7MBR35SB120 facilita los diseños de ahorro de espacio y simplifica la integración en los sistemas.

• De montaje de PCB: Diseñado para un fácil montaje en placas de circuito impreso, racionalización de procesos de ensamblaje.

• Puente de diodo convertidor integrado: Admite la conversión eficiente de CA a CC, crucial para varias aplicaciones de potencia.

• Circuito dinámico de freno: Proporciona capacidades de frenado efectivas, mejorando el rendimiento y la seguridad del sistema.

• Calificaciones de alto voltaje y corriente: 7MBR35SB120 funciona a 1200V y 35A, adecuado para aplicaciones de energía exigentes.

• Gestión térmica: Diseñado para manejar cargas térmicas altas, asegurando la confiabilidad en diversas condiciones de funcionamiento.

Aplicaciones 7MBR35SB120

• Inversores para unidades de motor: Utilizado en el control de motores de CA para sistemas HVAC, maquinaria industrial y robótica.

• Amplificadores de accionamiento de Servo AC y DC: Mejora la precisión en los sistemas de control de movimiento, incluidas las máquinas CNC y las líneas de ensamblaje automatizadas.

• Suministros ininterrumpidos (UPS): Proporciona soluciones de potencia de respaldo confiables para sistemas críticos.

• Sistemas de energía renovable: Integrado en los inversores solares y eólicos para una conversión de energía eficiente.

• Equipo de soldadura: Ofrece un control de energía preciso para aplicaciones de soldadura industrial.

7MBR35SB120 Esquema de circuito equivalente

Este esquema de circuito equivalente 7MBR35SB120 se divide en tres secciones: el convertidor, freno e inversor.El sección convertidor, a la izquierda, Utiliza un rectificador de puente con diodos para convertir AC a DC.El Sección de freno, en el medio, administra la recuperación de energía durante el frenado con elementos resistivos que disipan la energía para regular el proceso de frenado.La sección del inversor, a la derecha, convierte DC a AC a través de diodos y otros componentes de conmutación para producir la salida deseada.Además, el Termistor en los monitores inferiores La temperatura del módulo, asegurando que funcione dentro de los límites seguros al ayudar en la gestión térmica.Este esquema es Diseñado para controlar la conversión de energía y regulación térmica en sistemas como motores e inversores.

Dibujos de contorno 7MBR35SB120

Este contorno del módulo IGBT 7MBR35SB120 proporciona las dimensiones y el diseño físico del módulo para una integración adecuada en los sistemas.La vista superior muestra la forma general, destacando el longitud (122 mm) y Ancho (94.5 mm), que son importantes para garantizar que el módulo se ajuste en el espacio designado.La vista lateral indica el Altura (aproximadamente 20.8 mm) y el Colocación de las aletas del disipador de calor, que son importantes para la gestión térmica durante la operación.El dibujo también incluye detallado colocación de agujeros para ubicaciones de montaje y pines, que permiten conexiones eléctricas adecuadas.Estas dimensiones son esenciales para la integración mecánica y aseguran que el módulo funcione de manera efectiva en las aplicaciones industriales mientras mantiene la disipación térmica adecuada.

7MBR35SB120 Calificaciones máximas

Elementos			Símbolo	Condiciones			Calificaciones máximas	Unidades
Inversor	Coleccionista - Emisor Voltaje		VCES	-			1200	V
	Voltaje del emisor		VGES	-			± 20	V
	Corriente coleccionista		Ido	Continuo		TC = 25 ° C	50	A
						TC = 80 ° C	35
			ICP	1 m		TC = 25 ° C	100
						TC = 80 ° C	70
			-Ido	-			35
	Potencia de colección disipación		PAGdo	1 dispositivo			240	W
Freno	Coleccionista - Emisor Voltaje		VCES	-			1200	V
	Voltaje del emisor		VGES	-			± 20	V
	Corriente coleccionista		Ido	Continuo	TC = 25 ° C		35	A
					TC = 80 ° C		25
			ICP	1 m	TC = 25 ° C		70
					TC = 80 ° C		50
	Potencia de colección disipación		PAGdo	1 dispositivo			180	W
	Pico repititivo Voltaje inverso (diodo)		VRRM	-			1200	V
Convertidor	Pico repititivo voltaje inverso		VRRM	-			1600	V
	Salida promedio actual		IO	50Hz/60Hz, seno onda			35	A
	Corriente de sobretensión (no Repetitivo)		IFSM	TJ = 150 ° C, 10 ms, mitad onda sinusoidal			360	A
	I2t (no repetitivo)		I2T				648	A2s
Unión operativa temperatura			Tj	-			+150	° C
Temperatura de almacenamiento			Tstg	-			-40 a +125	° C
Tensión de aislamiento		Entre terminal y base de cobre	Visión	AC: 1min			AC 2500	V
		Entre termistor y otros		-			AC 2500
Torque de tornillo de montaje		-	-	-			3.5	Nuevo Méjico

7MBR35SB120 Características eléctricas y térmicas

Artículo		Símbolo	Condición		Características			Unidad
					Mínimo	Típico	Máximo
Inversor	Puerta cero corriente de colector de voltaje	ICES	VCE = 1200V, VGE = 0V		-	-	1.0	mamá
	Emisor de puerta corriente de fuga	IGES	VCE = 0V, VGE = ± 20V		-	-	0.2	µA
	Puerta Voltaje umbral del emisor	VGE (Th)	VCE = 20V, IC = 35MA		5.5	7.2	8.5	V
	Coleccionista voltaje de saturación	VCE (SAT)	VGE = 15V, IC = 35a	Chip	-	2.1	-	V
				Terminal	-	2.25	2.7
	Aporte Capacidad	dofondos	VGE = 0V, VCE = 10V, F = 1MHz		-	4200	-	PF
	Encender tiempo	Ten	VCC = 600V IC = 35A VGE = ± 15V RG = 32Ω		-	0.35	1.2	µs
		Triñonal			-	0.25	0.6
		TRhode Island)			-	0.1	-
	Apagar tiempo	Tapagado			-	0.45	1.0
		TF			-	0.08	0.3
	Avanzar Voltaje	VF	Si = 35a	Chip	-	2.3	-	V
				Terminal	-	2.45	3.3
	Recuperación inversa Tiempo de FRD	TRR	Si = 35a		-	-	0.35	µs
Freno	Puerta cero corriente de colector de voltaje	ICES	VCE = 1200V, VCE = 0V		-	-	1.0	mamá
	Emisor de puerta corriente de fuga	IGES	VCE = 0V, VGE = ± 20V		-	-	0.2	µA
	Coleccionista Voltaje de saturación del emisor	VCE (SAT)	Ic = 25a, VGE = 15V	Chip	-	2.1	-	V
				Terminal	-	2.25	2.7
	Encender tiempo	Ten	VCC = 600V IC = 25A VGE = ± 15V RG = 51 Ω		-	0.35	1.2	µs
		Triñonal			-	0.25	0.6
	Apagar tiempo	Tapagado			-	0.45	1.0
		TF			-	0.08	0.3
	Contrarrestar actual	IRRM	VR = 1200V		-	-	1.0	mamá
	Avanzar Voltaje	VFM	Si = 35a	Chip	-	1.1	-	V
				Terminal	-	1.2	1.5
	Contrarrestar actual	IRRM	VR = 1600V		-	-	1.0	mamá
	Resistencia	Riñonal	T = 25 ° C		-	5000	-	Ω
			T = 100 ° C		465	495	520
	Valor b	B	T = 25/50 ° C		3305	3375	3450	K

Artículo	Símbolo	Condición	Características			Unidad
			Mínimo	Típ.	Max.
Térmico Resistencia (1 dispositivo)	Riñonalth (j-c)	Inversor IGBT	-	-	0.52	° C/W
		Inversor FWD	-	-	0.90
		Freno IGBT	-	-	0.69
		Convertidor Diodo	-	-	0.75
Contacto Resistencia térmica	RiñonalTH (C-F)	Con compuesto térmico	-	0.05	-

7MBR35SB120 Beneficios

• Baja pérdida de potencia: Con su bajo voltaje de saturación del emisor de colector (VCE (SAT)), el 7MBR35SB120 minimiza la pérdida de energía, mejorando la eficiencia general del sistema.

• Diseño compacto y robusto : El tamaño compacto del módulo permite una fácil integración en sistemas con restricciones espaciales, mientras que su construcción duradera garantiza una operación confiable en entornos hostiles.

• Capacidad de alto voltaje y corriente: Con una clasificación de voltaje de 1200V y una capacidad de corriente continua de 35A, es capaz de manejar aplicaciones de energía exigentes, asegurando un alto rendimiento en las unidades de motor y los sistemas UPS.

• Gestión térmica eficiente: El módulo está diseñado para disipar de manera efectiva el calor, manteniendo el rendimiento estable en condiciones térmicas altas, lo cual es crucial para la confiabilidad a largo plazo.

• Puente de diodo integrado: Esta característica permite una conversión eficiente de AC-DC, mejorando el rendimiento del módulo en varios sistemas de suministro de energía.

• Versatilidad: Adecuado para una variedad de aplicaciones, desde unidades de motor y servo amplificadores hasta sistemas de energía renovable y equipos de soldadura, el 7MBR35SB120 ofrece una gran flexibilidad en su uso.

7MBR35SB120 Problemas y soluciones comunes

• Calentamiento excesivo: El calor excesivo puede provocar insuficiencia térmica;Asegure un manejo térmico adecuado con disipadores de calor, flujo de aire mejorado y operación dentro del rango de temperatura especificado (hasta 150 ° C).

• Voltaje de alto saturación (V_{CE (SAT)}): Alto V_{CE (SAT)} causa pérdida de energía y eficiencia reducida;Verifique regularmente el voltaje de la unidad de puerta y garantice un funcionamiento adecuado dentro de las especificaciones nominal.

• Impulso de puerta insuficiente: El voltaje de la unidad de puerta inadecuado da como resultado una conmutación incorrecta;Asegúrese de que el circuito de transmisión de la puerta entregue un voltaje apropiado (± 20V) y verifique la compatibilidad.

• Cortocircuito o sobrecorriente: Los cortocircuitos o las condiciones de sobrecorriente pueden dañar el módulo;Implementar circuitos de protección de cortocircuito y sobrecorriente en el sistema.

• Degradación del módulo debido a altas frecuencias de conmutación: Las frecuencias de conmutación excesivas causan pérdidas de conmutación y degradación del módulo;Evalúe la frecuencia de conmutación y use circuitos SNUBBER o módulos de capacidad de cambio superior si es necesario.

• Falla debido al diseño de PCB deficiente: El diseño de PCB deficiente puede conducir a picos de voltaje y EMI;Asegure un espacio adecuado, diseño térmico y mejores prácticas para trazas de alto voltaje y condensadores de desacoplamiento.

7MBR35SB120 Productos de alternativas

7MBR35SB120-50

7MBR8L-120

7MBR8LA120

7MBR30JC60

Comparación: 7MBR35SB120 vs 7MBR35SB120-50

Característica	7MBR35SB120	7MBR35SB120-50
Calificación de voltaje	1200V	1200V
Calificación actual	35a (continuo), 70a (pico, 1 ms)	35a (continuo), 70a (pico, 1 ms)
Voltaje de saturación del emisor de colector (VCE (SAT))	≤ 2.7V	≤ 2.7V
Disipación de potencia	240W (inversor), 180W (freno)	240W (inversor), 180W (freno)
Voltaje del emisor de puerta (VGe)	± 20V	± 20V
Temperatura de unión operativa (TJ)	Hasta 150 ° C	Hasta 150 ° C
Resistencia térmica (unión a caso)	0.52 ° C/W	0.52 ° C/W
Tipo de montaje	De montaje de PCB	De montaje de PCB
Tipo de paquete	Módulo integrado de potencia (PIM)	Módulo integrado de potencia (PIM)
Puente de diodo integrado	Sí	Sí
Circuito dinámico de freno	Sí	Sí
Integración del termistor	Sí	Sí
Aplicaciones	Unidades de motor, servo amplificadores, UPS, Energía renovable	Unidades de motor, servo amplificadores, UPS, Energía renovable
Dimensiones del paquete	50 mm x 49 mm x 22 mm	50 mm x 49 mm x 22 mm

Conclusión

El módulo IGBT 7MBR35SB120 es una solución versátil y confiable para la electrónica de potencia en entornos industriales.Sus calificaciones de alta tensión y corriente, combinadas con su rendimiento térmico eficiente y su bajo voltaje de saturación, lo convierten en una excelente opción para varias aplicaciones.Ya sea que esté administrando el control motor, la conversión de energía o los sistemas de energía de respaldo, el 7MBR35SB120 ofrece un alto rendimiento con una pérdida de energía mínima, lo que lo convierte en un activo valioso para las soluciones de energía industrial.

Hoja de datos pdf

7MBR35SB120 HOJAS DE DATOS:

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