Módulo IGBT BSM35GD120DN2: guía completa y desglose técnico

Apr13

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El BSM35GD120DN2 es un módulo de potencia IGBT de 1200V y 50A desarrollado originalmente por EUPEC y ahora producido bajo Infineon Technologies.Conocido por su Rendimiento sólido En sistemas de potencia media, este módulo se usa ampliamente en Unidades de motor, inversores y configuraciones de energía industrial.Ofrece fuerte control térmico, diodos rápidos integrados y un paquete compacto, haciendo Es confiable para equipos que necesitan energía estable y eficiente traspuesta.

Catalogar

1. BSM35GD120DN2 Descripción general

2. Características BSM35GD120DN2

3. BSM35GD120DN2 Calificaciones máximas

4. BSM35GD120DN2 Características eléctricas

5. Diagrama de circuito BSM35GD120DN2

6. BUSTA DEL PAQUETO BSM35GD120DN2

7. BSM35GD120DN2 Alternativas

8. BSM35GD120DN2 Aplicaciones

9. BSM35GD120DN2 Pros y contras

10. Fabricante

11. Conclusión

BSM35GD120DN2 IGBT Module: Complete Guide and Technical Breakdown

Descripción general de BSM35GD120DN2

El BSM35GD120DN2 es un módulo de potencia IGBT de alta eficiencia originalmente realizado por EUPEC GMBH, ahora bajo Infineon Technologies.Está construido para manejar la potencia media necesidades, por lo que es una elección confiable para las unidades de motor industrial, la energía Sistemas de suministro y configuraciones de energía renovable.Con su diseño aislado, El módulo ayuda a reducir la pérdida de energía y mejora la seguridad en alto voltaje traspuesta.Combina velocidades de conmutación rápidas con una fuerte térmica Gestión, que ayuda a los equipos a funcionar sin problemas y eficientemente.Si Está actualizando sus sistemas de motor o construyendo nuevas soluciones de energía, Este módulo ofrece un rendimiento confiable.

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Características de BSM35GD120DN2

• Voltaje de coleccionista-emisor (V_Ceñudo) 1.200 V

• Corriente de coleccionista continuo (yo_do) a 25 ° C: 50 A

• Voltaje de saturación del emisor de colector (v_{CE (SAT)}) 2.7 V

• Voltaje del emisor de puerta (V_Ge) ± 20 V

• Tipo de paquete: Paquete de módulo IGBT estándar

BSM35GD120DN2 Calificaciones máximas

Parámetro	Símbolo	Valores	Unidad
Voltaje de coleccionista-emisor	V_Ceñudo	1200	V
Voltaje de la puerta del colector Riñonal_Ge = 20 kΩ	V_CGR	1200
Voltaje del emisor de puerta	V_Ge	± 20
Actual del coleccionista de DC T_do = 25 ° C	I_do	50	A
T_do = 80 ° C		35
Corriente de colector pulsado, Tₚ = 1 ms T_do = 25 ° C	I_cpuls	100
T_do = 80 ° C		70
Disipación de potencia por IGBT T_do = 25 ° C	PAG_nene	280	W
Temperatura del chip	T_j	+150	° C
Temperatura de almacenamiento	T_stg	-40 ... +125	° C
Resistencia térmica, caso de chip	Riñonal_THJC	≤ 0.44	K/W
Resistencia térmica de diodo, estuche de chip	Riñonal_thjcd	≤ 0.8	K/W
Voltaje de prueba de aislamiento, t = 1min.	V_es	2500	Vacaciones
Distancia de arrastre	-	16	mm
Autorización	-	11	mm
Categoría de Humedad DIN, DIN 40 040	-	F	segundo
Categoría climática IEC, DIN IEC 68-1	-	40/125/56	segundo

BSM35GD120DN2 Características eléctricas

Parámetro	Condición	Símbolo	mínimo	típ.	Max.	Unidad
Estático Características
Voltaje de umbral de puerta	V_Ge = V_Ceñudo, I_do = 1.2 Ma	V_{GE (Th)}	4.5	5.5	6.5	V
Voltaje de saturación del emisor de colector	V_Ge = 15 V, yo_do = 35 EN_j = 25 ° C	V_{CE (SAT)}	-	2.7	3.2	V
Voltaje de saturación del emisor de colector	V_Ge = 15 V, yo_do = 35 EN_j = 125 ° C	V_{CE (SAT)}	-	3.3	3.9	V
Corriente del colector de voltaje de puerta cero	V_Ceñudo = 1200 V, V_Ge = 0 V, T_j = 25 ° C	/_CES	-	0.6	1	mamá
Corriente del colector de voltaje de puerta cero	V_Ceñudo = 1200 V, V_Ge = 0 V, T_j = 125 ° C	/_CES	-	2.4	-	mamá
Corriente de fuga de emisor de puerta	V_Ge = 20 V, V_Ceñudo = 0 V	/_GES	-	-	150	n / A
C.A. Características
Transconductancia	V_Ceñudo = 20 V, yo_do = 35 A	gramo_FS	11	-	-	S
Capacitancia de entrada	V_Ceñudo = 25 V, V_Ge = 0 V, F = 1 MHz	do_{insuficiencia}	-	2	-	NF
Capacitancia de salida	V_Ceñudo = 25 V, V_Ge = 0 V, F = 1 MHz	do_agotamiento	-	0.3	-	NF
Capacitancia de transferencia inversa	V_Ceñudo = 25 V, V_Ge = 0 V, F = 1 MHz	do_RSS	-	0.14	-	NF
Traspuesta Características
Tiempo de retraso de encendido	V_CC = 600 V, V_Ge = 15 V, yo_do = 35 A Riñonal_Gón = 39 Ω	T_don)	-	60	120	ns
Tiempo de elevación	V_CC = 600 V, V_Ge = 15 V, yo_do = 35 A Riñonal_Gón = 39 Ω	T_riñonal	-	60	120	ns
Tiempo de retraso de apagado	V_CC = 600 V, V_Ge = -15 V, yo_do = 35 A Riñonal_Gofín = 39 Ω	T_quitarse)	-	400	600	ns
Tiempo de caída	V_CC = 600 V, V_Ge = -15 V, yo_do = 35 A Riñonal_Gofín = 39 Ω	T_F	-	50	75	ns
Rueda libre Diodo
Voltaje hacia adelante de diodo	I_F = 35 A, V_Ge = 0 V, T_j = 25 ° C	V_F	-	2.3	2.9	V
Voltaje hacia adelante de diodo	I_F = 35 A, V_Ge = 0 V, T_j = 125 ° C	V_F	-	1.9	-	V
Tiempo de recuperación inverso	I_F = 35 A, V_Riñonal = -600 V, V_Ge = 0 V DI_F/dt = -800 a/μs, t_j = 125 ° C	T_RR	-	0.25	-	µs
Carga de recuperación inversa	I_F = 35 A, V_Riñonal = -600 V, V_Ge = 0 V DI_F/dt = -800 a/μs T_j = 25 ° C T_j = 125 ° C	Q_RR	-	-	-	µC
Carga de recuperación inversa		Q_RR	-	2 5	-	µC

Diagrama de circuito BSM35GD120DN2

BSM35GD120DN2 Circuit Diagram

El diagrama del circuito muestra el diseño interno del BSM35GD120DN2, A Módulo IGBT 3 fases.Consta de seis IGBT con diodos de rueda libre conectado en una configuración típica del puente del inversor.Cada pierna de fase contiene un IGBT de lado alto y de lado bajo, formando tres medios puentes en total.

Los pines 1–4, 5–8 y 9–12 son los pasadores de control de la puerta y el emisor para Cada IGBT.Por ejemplo, los pines 1 y 2 controlan uno IGBT, y los pasadores 3 y 4 Controle su par complementario en la misma pierna de fase.Los pines 13 y 17 son Los principales terminales positivos de DC y DC negativos, mientras que los pasadores 15 y 16, y otros conectados a ellos, sirven como terminales de salida para cada fase.

BUSTA DEL PAQUETO BSM35GD120DN2

BSM35GD120DN2 Package Outline

El diagrama de envasado del BSM35GD120DN2 muestra su diseño físico y dimensiones mecánicas detalladas.El módulo tiene una forma rectangular con una longitud total de 107.5 mm y un ancho de 45 mm.El agujero de montaje El espacio es de 93 mm horizontalmente y 28.4 mm verticalmente, lo que permite seguro Adjunto a un disipador de calor o panel.

Los pines terminales están claramente espaciados para una fácil identificación y Conexión, con PAT etiquetada y pines emisores dispuestos en una fila.El La altura desde la placa base hasta la parte superior de los alfileres alcanza hasta 17.15 mm. También incluye una vista con zoom que muestra el detalle de muescas con un 1.15 MM Slot para alineación o montaje.

Alternativas BSM35GD120DN2

- BSM35GD120DLC

- BSM35GB120DN2

- BSM35GP120

Aplicaciones BSM35GD120DN2

Impulso de motor industrial

Ideal para controlar motores de CA en sistemas de fabricación y automatización, ofreciendo una gestión precisa de velocidad y par.

Inversores de poder

Utilizado en sistemas de conversión de DC a AC, incluidos los de renovables Configuraciones de energía como energía solar y eólica, para administrar eficientemente la energía fluir.

Suministros ininterrumpidos (UPS)

Asegura la entrega de energía continua durante las interrupciones, manteniendo el funcionamiento de los sistemas críticos.

Equipo de soldadura

Proporciona el control de energía necesario para varios procesos de soldadura, asegurando la estabilidad y la eficiencia.

Sistemas HVAC

Gestiona el funcionamiento de las unidades de calefacción, ventilación y aire acondicionado, contribuyendo al control climático de eficiencia energética.

Bsm35gd120dn2 pros y contras

Pros

Calificaciones de alto voltaje y corriente: Soporte hasta 1200 V voltaje del emisor de colector y 50 A coleccionista continuo actual, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de mediana a alta potencia.

Diodos de ruedas libres rápidos integrados: Mejora la eficiencia en la conmutación de carga inductiva al reducir los picos de voltaje.

Gestión térmica eficiente: Presenta una baja resistencia térmica (r_THJC ≤ 0.44 K/W) y una placa base de metal aislada, facilitando la disipación de calor efectiva.

Paquete Compact ECONOPACK ™ 2: Ofrece un diseño de ahorro de espacio con montaje simplificado y conexiones eléctricas.

Tolerancia ambiental robusta: Opera de manera confiable en un amplio rango de temperatura (-40 ° C a +125 ° C) y cumple con los estándares IEC 68-1 para la resistencia climática.

Contras

Estado obsoleto: Este módulo ha sido descontinuado, lo que puede conducir a desafíos en el abastecimiento y el soporte a largo plazo.

Velocidad de conmutación limitada: Con un tiempo de retraso de apagado de hasta 600 ns, puede no ser ideal para aplicaciones que requieran un cambio ultra rápido.

Voltaje de saturación moderado: Una V típica V_{CE (SAT)} de 2.7V a 25 ° C podría dar lugar a mayores pérdidas de conducción en comparación con las nuevas tecnologías IGBT.

Consideración de peso: Peso Aproximadamente 180 gramos, puede ser más pesado que algunos modernos Alternativas, que podrían ser un factor en los diseños sensibles al peso.

Fabricante

EUpec era un alemán prominente fabricante especializado en soluciones de semiconductores de alta potencia, incluyendo módulos IGBT, tiristores y diodos.El compromiso de Eupec con La innovación y la calidad lo convirtieron en un nombre confiable en Power Electronics Industria. A principios de la década de 2000, EUPEC se convirtió en parte de Infineon Technologies AG, una empresa líder de semiconductores globales.Este La adquisición permitió a Infineon expandir su cartera de energía productos semiconductores, que integran las tecnologías avanzadas de EUPEC en sus ofrendas.Como resultado, muchos de los productos de EUPEC continuaron bajo el Marca infineon, asegurando el apoyo y el desarrollo en curso para la existencia clientes.

Conclusión

El BSM35GD120DN2 sigue siendo una solución confiable para muchas potencias media Aplicaciones, a pesar de ser descontinuado.Su combinación de fuerte Calificaciones eléctricas, protección incorporada y diseño fácil de usar Es un módulo de referencia para sistemas heredados.Si está administrando reparaciones, actualizaciones, o abastecimiento a granel, asegurar este módulo puede ayudar a mantener rendimiento y confiabilidad en sus sistemas.