Módulo IGBT MG150Q2YS51: características, especificaciones y aplicaciones

En el campo de aplicaciones industriales de alta potencia, es importante elegir los componentes correctos para garantizar la eficiencia y la confiabilidad.El módulo IGBT Toshiba MG150Q2YS51 se destaca como una solución robusta, ofreciendo características avanzadas adaptadas para tareas exigentes como control de motor y operaciones de conmutación rápida.Este artículo proporciona una exploración en profundidad del MG150Q2YS51, que cubre sus especificaciones, circuito equivalente, dimensiones de envasado, alternativas potenciales, aplicaciones y una discusión equilibrada sobre sus ventajas y desventajas.

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Descripción general de MG150Q2ys51

El Mg75q2ys51 es un módulo IGBT de alta potencia de Toshiba, construido para tareas industriales exigentes como control de motor y operaciones de conmutación rápida.Puede manejar una alta corriente y voltaje, lo que lo hace adecuado para equipos que se ejecutan continuamente o necesita conmutación rápida y confiable.Su diseño incluye un paquete aislado para mejorar la seguridad y reducir la pérdida de energía, asegurando un mejor rendimiento y durabilidad a largo plazo en entornos hostiles.Este módulo se usa ampliamente en inversores, fuentes de alimentación y otros sistemas de control de servicio pesado.Para aquellos que administran operaciones a gran escala o mantienen sistemas industriales, este componente ofrece una solución de potencia confiable.Ordene a granel ahora para garantizar el suministro continuo y las actualizaciones eficientes del sistema.¡Contáctenos hoy!

Características de MG150Q2ys51

• Tipo: IGBT de canal N con diodo antiparalelo

• Configuración: Complete medio puente en un solo paquete

• Calificaciones máximas:

- Voltaje de coleccionista-emisor (V_Ceñudo) 1200 V

- Actual de colección (yo_do) 200 A a 25 ° C

- Voltaje del emisor de puerta (V_Ge) ± 20 V

- Disipación de potencia (P_do) 1250 W

- Temperatura de unión (t_j) 150 ° C

• Actuación:

- Voltaje de bajo saturación (V_{CE (SAT)}) 3.6 V Max

- Cambio rápido: Tiempo de levantamiento (t_riñonal) de 50 ns

- Alta impedancia de entrada: Operación en modo de mejora

• Paquete: Módulo de caja aislado

Especificaciones MG150Q2YS51

Calificaciones máximas

CARACTERÍSTICA		SÍMBOLO	CLASIFICACIÓN	UNIDAD
Voltaje de coleccionista-emisor		VCES	1200	V
Voltaje del emisor de puerta		VGES	± 20	V
Corriente coleccionista	corriente continua	Ido (25 ° C / 80 ° C)	200/150	A
	1 m	ICP (25 ° C / 80 ° C)	400/300	A
Corriente de reenvío	corriente continua	IF	150	A
	1 m	IFM	300	A
Disipación de potencia del colector (TC = 25 ° C)		PAGdo	1250	W
Temperatura de unión		Tj	150	° C
Rango de temperatura de almacenamiento		Tstg	-40 ~ 125	° C
Tensión de aislamiento		VIsol	2500 (AC 1 minuto)	V
Tornillo de tornillo (terminal / montaje)		-	3/3	Nuevo Méjico

Características eléctricas

CARACTERÍSTICA	SÍMBOLO	Condición de prueba	Mínimo	Típ.	Max.	UNIDAD
Corriente de fuga de puerta	IGES	VGe = ± 20V, VCeñudo = 0	-	-	± 500	n / A
Corriente de corte de colección	ICES	VCeñudo= 1200V, VGe= 0	-	-	2.0	mamá
Voltaje de corte del emisor de puerta	VGE (Off)	Ido= 150MA, VCeñudo= 5V	3.0	-	6.0	V
Voltaje de saturación del emisor de colector	VCE (SAT)	Ido= 150a, VGe= 15V tj= 25 ° C	-	2.8	3.6	V
		Ido= 150a, VGe= 15V tj= 125 ° C	-	3.1	4.0	V
Capacitancia de entrada	dofondos	VCeñudo= 10V, VGe= 0, F = 1MHz	-	18.0	-	NF
Tiempo de cambio Tiempo de retraso de encendido	Tdon)	Carga inductiva VCC= 600V Ido= 150a VGe= ± 15V rGRAMO= 5.6Ω	-	0.05	-	µs
Tiempo de cambio Tiempo de elevación	Tᵣ		-	0.05	-
Tiempo de cambio Tiempo de encendido	Ten		-	0.5	-
Tiempo de cambio Tiempo de retraso de apagado	Tquitarse)		-	0.2	-
Tiempo de cambio Tiempo de caída	TF		-	0.1	0.3
Tiempo de cambio Tiempo de apagado	Tapagado		-	0.6	-
Voltaje hacia adelante	VF	IF= 150a, VGe= 0	-	2.4	3.5	V
Tiempo de recuperación inverso	TRR	IF= 150a, VGe= -10V DI/DT = 700A/µs	-	0.1	0.25	µs
Resistencia térmica	Riñonalth (j-c)	Etapa de transistor	-	-	0.1	° C/W
		Etapa de diodo	-	-	0.24

MG150Q2YS51 Circuito equivalente

El circuito equivalente del MG150Q2ys51 muestra dos unidades IGBT conectadas en una configuración de medio puente.Cada IGBT tiene un diodo de rueda libre incorporado, que permite que la corriente fluya en la dirección opuesta cuando el IGBT está apagado.Los terminales se etiquetan de la siguiente manera: C1 y E2 son la principal entrada y salida de potencia;E1 es la conexión común entre los dos IGBT;G1 y G2 son los terminales de puerta para el control de control;y E1/C2 actúa como la conexión de emisor/coleccionista compartido entre los dos transistores.Esta configuración es típica para conducir motores o inversores, donde se necesita conmutación rápida y eficiente.

MG150Q2YS51 PAQUETO DEL PAQUETE

Las dimensiones de empaque del módulo MG150Q2ys51 se muestran claramente en el diagrama.La longitud total del módulo es de 106 mm, el ancho es de 60 mm y la altura es de alrededor de 30.4 mm.Los principales orificios de montaje están separados a 93 mm, con un tramo de montaje total de 108 mm.El módulo tiene tres terminales principales en la parte superior, separados a 25 mm de distancia e incluye orificios de tornillo M5 para el montaje seguro.Las pestañas rápidas están disponibles para conexiones de puerta y auxiliar, lo que facilita la instalación.Este diseño compacto y resistente permite un ajuste seguro y una fácil integración en los sistemas de control de energía.

Alternativas mg150q2ys51

• Mg75q2ys51

• MG100Q2YS51

• MG150Q2YS50

• MG150Q2YS40

• MG150Q2YS65H

• MG150J1BS11

• Mg150j2ys50

• MG150J7KS60

• FF150R12KT4

• CM150dy-24a

• SKM150GB126D

Aplicaciones MG150Q2YS51

Sistemas de control de motor: Ideal para unidades de motor industrial, ofreciendo un control preciso y alta eficiencia.

Aplicaciones de conmutación de alta potencia: Adecuado para sistemas como inversores y convertidores de potencia, donde se requiere conmutación rápida y eficiente.

Suministros ininterrumpidos (UPS): Asegura la transición de potencia y la estabilidad sin problemas en los sistemas de energía de respaldo.

Equipo de automatización industrial: Se utiliza en maquinaria que requiere componentes de control de potencia robustos y confiables.

Sistemas de energía renovable: Aplicable en convertidores de energía solar y eólica, facilitando la transformación de energía eficiente.

Ventajas y desventajas de MG150Q2YS51

Ventajas

Alta impedancia de entrada: El MG150Q2YS51 presenta una alta impedancia de entrada, lo que permite requisitos de accionamiento de compuerta más fáciles y circuitos de control más simples.​

Velocidad de conmutación rápida: Con un tiempo máximo de caída (t_F) De 0.3 microsegundos bajo carga inductiva, este módulo admite operaciones de conmutación rápida, lo que mejora la eficiencia en aplicaciones como las unidades de motor.​

Bajo voltaje de saturación: El módulo exhibe un voltaje de saturación de emisor de colector bajo (V_{CE (SAT)}) de 3.6V máx, lo que reduce las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia general del sistema.Configuración integrada de medio puente: la incorporación de un medio puente completo en un paquete simplifica el diseño del circuito y reduce el recuento de componentes, lo que lleva a sistemas más compactos y confiables.​

Placa base aislada: Los electrodos se aislan del caso, proporcionando un aislamiento eléctrico que mejora la seguridad y simplifica el manejo térmico.​

Desventajas

Cambio de pérdidas: Si bien el MG150Q2ys51 ofrece un cambio rápido, aún puede experimentar pérdidas de cambio, especialmente a frecuencias más altas.Esta es una característica común de los módulos IGBT y puede afectar la eficiencia en ciertas aplicaciones.​

Requisitos de gestión térmica: Debido a sus capacidades de alta potencia, se requiere una gestión térmica efectiva para mantener un rendimiento óptimo y evitar el sobrecalentamiento.Las soluciones de enfriamiento adecuadas son necesarias para garantizar la confiabilidad.​

Bloqueo de voltaje inverso limitado: Los IGBT, incluido el MG150Q2YS51, generalmente no bloquean bien el voltaje inverso.En aplicaciones donde se requiere bloqueo de voltaje inverso, pueden ser necesarios componentes adicionales como diodos.​

Fabricante

Toshiba Corporation es un conglomerado multinacional japonés con sede en Minato, Tokio.Fundada en 1939 a través de la fusión de Shibaura Seisaku-Sho (establecida en 1875) y Tokio Denki (establecida en 1890), la compañía adoptó oficialmente el nombre "Toshiba" en 1978. Toshiba opera a través de varios sectores, incluidos sistemas de energía, soluciones de infraestructura, almacenamiento y dispositivos electrónicos y soluciones digitales.Históricamente, la compañía ha sido pionera en varios avances tecnológicos, como el desarrollo de la tecnología de memoria flash.A lo largo de los años, Toshiba ha sufrido transformaciones considerables, incluido el spin-off de su división de memoria en una entidad separada llamada Kioxia.

Conclusión

En resumen, el módulo IGBT Toshiba MG150Q2YS51 incorpora una combinación de alto rendimiento, diseño compacto y versatilidad, lo que lo convierte en un activo valioso en varias aplicaciones industriales.Si bien presenta ventajas notables, como la alta impedancia de entrada y las velocidades de conmutación rápidas, las consideraciones con respecto a la gestión térmica y las pérdidas de conmutación son una utilización óptima ideal.Comprender estas facetas permite a los ingenieros y especialistas en adquisiciones tomar decisiones informadas, asegurando la integración perfecta del MG150Q2ys51 en sus sistemas.

Hoja de datos pdf

Mg150q2ys51 hojas de datos:

MG150Q2YS51 Detalles PDF
MG150Q2YS51 Detalles PDF para el P.PDF
MG150Q2YS51 Detalles PDF para KR.PDF
MG150Q2YS51 Detalles PDF para IT.PDF
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