Acelerar el desarrollo y lanzamiento de soluciones avanzadas de nitruro de galio de potencia; aprovechar al máximo la experiencia en el mercado automotriz de ST y la tecnología de fabricación líder en el mundo de TSMC; Mejorar la eficiencia energética de los productos de banda ancha y hacer que las aplicaciones de conversión de energía sean más eficientes.
El 24 de febrero, STMicroelectronics y TSMC trabajaron juntos para acelerar el desarrollo de la tecnología de proceso de nitruro de galio (GaN) y el suministro de dispositivos discretos e integrados de GaN. A través de esta colaboración, los innovadores productos estratégicos de nitruro de galio de ST utilizarán el proceso de fabricación GaN líder en la industria de TSMC.
Nit El nitruro de galio (GaN) es un material semiconductor de banda ancha. En comparación con los semiconductores de potencia de silicio tradicionales, tiene ventajas obvias. Por ejemplo, tiene una mayor eficiencia energética cuando se trabaja a alta potencia, lo que reduce significativamente la pérdida de energía parasitaria. La tecnología GaN también puede diseñar dispositivos más compactos, dando a la aplicación de destino un mejor factor de forma. Además, la velocidad de conmutación de los dispositivos de nitruro de galio es 10 veces mayor que la de los dispositivos de silicio y, al mismo tiempo, la temperatura máxima de funcionamiento es mayor. Estas características de material robustas y fuertes hacen que el nitruro de galio sea muy adecuado para las crecientes aplicaciones automotrices, industriales, de telecomunicaciones y específicas para consumidores y otras aplicaciones.
Específicamente, en comparación con la tecnología de silicio basada en la misma topología, la tecnología IC de nitruro de galio y nitruro de galio permitirá que STMicroelectronics brinde a los clientes mejores soluciones energéticamente eficientes para aplicaciones de potencia media a alta, incluidos vehículos híbridos y eléctricos. Convertidor de potencia y cargador. La tecnología de potencia de nitruro de galio y nitruro de galio IC ayudará a promover el rápido desarrollo de la electrificación de turismos y vehículos comerciales.
Marco Monti, Presidente de Automóviles y Dispositivos Discretos, STMicroelectronics, dijo: "Como líder en la exigente tecnología de semiconductores de banda ancha automotriz e industrial y la industria de semiconductores de potencia, STMicroelectronics es optimista sobre la aceleración del desarrollo y la entrega de la tecnología de proceso de nitruro de galio, el enorme oportunidad lanzada por el lanzamiento de productos de nitruro de galio y nitruro de galio IC al mercado. TSMC es un socio confiable de fundición, y solo ellos pueden cumplir con los requisitos únicos de confiabilidad y planificación de desarrollo de los clientes objetivo de ST ". Este proyecto colaborativo complementa nuestra capacidad de producción para La producción de nitruro de galio en cooperación con CEA-Leti en la planta de Tours, Francia. GaN es la próxima gran innovación en electrónica de potencia y energía inteligente y tecnología de procesos ".
"Esperamos trabajar con STMicroelectronics para llevar la tecnología de electrónica de potencia de nitruro de galio a las aplicaciones de sistemas de conversión de potencia industrial y automotriz. La experiencia de fabricación de nitruro de galio líder en la industria de TSMC, combinada con el diseño del producto ST y la certificación de grado automotriz mejorarán significativamente la energía eficiencia de la conversión de energía industrial y automotriz, hacerla más eficiente en energía y respetuosa con el medio ambiente, y ayudar a acelerar el proceso de electrificación de automóviles ".
Se informa que se espera que STMicroelectronics entregue las primeras muestras de dispositivos discretos de nitruro de galio a los principales clientes a finales de este año, y luego entregue los productos GaN IC en unos pocos meses.