El mercado mundial de memorias continúa divergiendo, ya que los dos principales fabricantes de memorias de Corea del Sur se centran en la expansión de la capacidad de 1c DRAM y HBM, al tiempo que desaceleran el ritmo del desarrollo de la memoria flash NAND de próxima generación.Este cambio ha creado una valiosa ventana de mercado para la alianza Kioxia-Sandisk.
Según Global Economic, citando al medio de tecnología alemán ComputerBase, Kioxia y Sandisk aumentarán significativamente sus inversiones en NAND, aprovechando su tecnología y capacidad de producción para capturar la demanda en el mercado de almacenamiento de centros de datos de IA.
Los datos muestran que la alianza NAND entre Estados Unidos y Japón planea gastar 4.500 millones de dólares en gastos de capital este año fiscal, equivalente a 6,75 billones de wones, lo que supone un aumento interanual del 41%.La inversión se centrará principalmente en productos NAND de arquitectura BiCS de décima generación.
Según Nikkei, Kioxia planea comenzar la producción en masa de NAND de próxima generación en su planta de Kitakami en la prefectura de Iwate, Japón, en 2026. La arquitectura del producto avanzará de la NAND de 218 capas de octava generación a la NAND de 332 capas.La producción utilizará la línea K2 que inició operaciones en septiembre pasado, lo que permitirá a la empresa hacer un mejor uso de los recursos de fabricación existentes.
La última expansión de capacidad está siendo impulsada por el crecimiento estructural de la demanda de la industria de la IA.A medida que el desarrollo de la IA pasa de la creación de capacitación en infraestructura a la implementación de inferencias a gran escala, la demanda de productos de almacenamiento de alto rendimiento y alta capacidad continúa aumentando.Los principales proveedores de servicios en la nube están asignando más gastos de capital en centros de datos al almacenamiento, mientras que la capacidad de SSD por GPU se ha duplicado año tras año.Los servidores de IA de próxima generación ahora suelen estar equipados con decenas de terabytes de almacenamiento por GPU, lo que impulsa aún más la demanda de NAND de alta gama.
Según ZDNet, Kioxia ha fijado la producción en masa de BiCS NAND de décima generación como objetivo principal para el año fiscal 2026. En comparación con la generación anterior de 218 capas, el nuevo producto ofrece un aumento del 59 % en la densidad de almacenamiento por unidad de área y una mejora del 33 % en la velocidad de transferencia de datos.Su principal ventaja técnica radica en lograr una densidad de almacenamiento ultraalta con menos capas apiladas, lo que ayuda a simplificar el grabado vertical, reducir el desgaste de equipos avanzados, reducir los defectos de deformación de las obleas y mejorar significativamente los costos de producción.Su arquitectura QLC puede alcanzar una densidad de 37,6 Gb/mm², superando el producto de arquitectura V10 de 430 capas planificado por Samsung.
En contraste con la agresiva expansión de capacidad por parte de empresas estadounidenses y japonesas, los fabricantes de memorias coreanos están desacelerando en general sus hojas de ruta de tecnología NAND.Los datos de TrendForce muestran que se espera que los principales proveedores mundiales de NAND agreguen poca o ninguna capacidad nueva en 2026. Samsung ha pospuesto la producción en masa de su NAND de 430 capas de décima generación hasta después de 2027 y aún no ha finalizado los pedidos de adquisición de equipos.
Los analistas de la industria creen que si Kioxia y Sandisk continúan mejorando los costos y aceleran la adopción de SSD QLC de nivel empresarial, podrían expandir aún más su participación en el mercado de almacenamiento de centros de datos de IA.Samsung y SK hynix, respaldados por productos maduros de novena generación y sólidas relaciones con clientes gubernamentales y empresariales, seguirán siendo altamente competitivos.Se espera que la industria global NAND entre en una nueva fase de competencia.