Samsung Electronics anunció que ha comenzado a entregar las primeras muestras HBM4E de 12 GB de alto y 48 GB de la industria a los principales clientes globales.Tras los envíos iniciales de muestras y el proceso de optimización, Samsung planea comenzar la producción en masa de HBM4E de acuerdo con los cronogramas de desarrollo de los clientes.
Samsung también dijo que está ampliando su línea de productos e introducirá versiones de 8 GB de 32 GB y 16 de 64 GB para satisfacer los diversos requisitos de rendimiento informático de los clientes.
HBM, o High Bandwidth Memory, es un componente central que habilita los chips aceleradores de IA, y su ancho de banda y capacidad afectan directamente la eficiencia del entrenamiento y la inferencia de IA.
Samsung ingresó al mercado de HBM en 2015 y desde entonces sus productos han pasado por diez generaciones de desarrollo.En febrero de 2026, Samsung comenzó la producción en masa de HBM4, convirtiéndose en la primera empresa del mundo en lograr una producción en volumen de HBM4.
Según Samsung, el HBM4E de 12 alturas, un sucesor mejorado del HBM4, se basa en el proceso DRAM de clase de 10 nanómetros (1c) de sexta generación de la compañía y una base lógica de 4 nm fabricada por Samsung Foundry.El nuevo producto ofrece importantes mejoras en rendimiento, capacidad, eficiencia energética y gestión térmica, y está diseñado para modelos de lenguaje grandes, IA generativa y aplicaciones informáticas de alto rendimiento.Comparado con HBM4:
Rendimiento: HBM4E ofrece una velocidad de datos estable por pin de 14 Gbps, con escalabilidad de hasta 16 Gbps para satisfacer las crecientes demandas de procesamiento de datos.En comparación con HBM4, el rendimiento mejora en más de un 20 %, mientras que el ancho de banda de la memoria alcanza hasta 3,6 TB/s por pila, lo que ayuda a maximizar el rendimiento informático para modelos a gran escala y sistemas de IA de próxima generación.
Capacidad: HBM4E ofrece 48 GB de capacidad, más de un 30% más que la generación anterior.Samsung también planea ampliar la línea según la demanda de los clientes, incluidas configuraciones de 32 GB (8 de alto) y 64 GB (16 de alto).
Eficiencia energética y rendimiento térmico: un diseño de bajo consumo y una optimización del embalaje mejoran la eficiencia energética en un 16 % y reducen la resistencia térmica en más de un 14 %, lo que mejora significativamente la disipación de calor y ayuda a reducir el consumo de energía en entornos de centros de datos de IA con alta carga.