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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN2212T1G

Fabricante Número de pieza:
MUN2212T1G
Fabricante / Marca
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Parte de la descripción:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Especificaciones:
MUN2212T1G.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 42645 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza MUN2212T1G
Fabricante / Marca AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Cantidad de stock 42645 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
Descripción TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ MUN2212T1G Hojas de datos MUN2212T1G Detalles PDF
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SC-59
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potencia - Max 338mW
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres MUN2212T1GOSCT
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base MUN2212

embalaje

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