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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NSBA114TDXV6T1

Fabricante Número de pieza:
NSBA114TDXV6T1
Fabricante / Marca
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Parte de la descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Especificaciones:
NSBA114TDXV6T1.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no compatible
Condición de stock:
Nuevo original, 2843 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza NSBA114TDXV6T1
Fabricante / Marca AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Cantidad de stock 2843 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas
Descripción TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Contiene plomo / RoHS no compatible
RFQ NSBA114TDXV6T1 Hojas de datos NSBA114TDXV6T1 Detalles PDF
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SOT-563
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Potencia - Max 500mW
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres NSBA114TDXV6TOSCT
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base NSBA1*

embalaje

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