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Cypress Semiconductor
CY7C1010DV33-10VXI ImageVer imagen más grande
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CY7C1010DV33-10VXI

Fabricante Número de pieza:
CY7C1010DV33-10VXI
Fabricante / Marca
Cypress Semiconductor
Parte de la descripción:
IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ
Especificaciones:
CY7C1010DV33-10VXI.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 373 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza CY7C1010DV33-10VXI
Fabricante / Marca Cypress Semiconductor
Cantidad de stock 373 pcs Stock
Categoría Circuitos integrados (ICS) > Memoria
Descripción IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ CY7C1010DV33-10VXI Hojas de datos CY7C1010DV33-10VXI Detalles PDF
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 10ns
Suministro de voltaje 3 V ~ 3.6 V
Tecnología SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo 36-SOJ
Serie -
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Otros nombres CY7C1010DV3310VXI
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Volatile
Tamaño de la memoria 2Mb (256K x 8)
Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria SRAM
Descripción detallada SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 10ns 36-SOJ
Número de pieza base CY7C1010
Tiempo de acceso 10ns

embalaje

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Todos los productos se embalarán en una bolsa antiestática. Se envía con protección antiestática ESD.
La etiqueta del embalaje externo de ESD utilizará la información de nuestra empresa: número de pieza, marca y cantidad.
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