El IRGPH40F es un transistor bipolar de puertas aisladas (IGBT) de alto rendimiento de International Rectifier (Infineon Technologies), diseñado para aplicaciones robustas de electrónica de potencia. Este duradero dispositivo semiconductor ofrece capacidades excepcionales de manejo de potencia, con una potencia máxima de 160 W y una corriente máxima de colector de 29 A, lo que lo hace ideal para sistemas industriales y de conversión de energía de alta tensión y alto amperaje.
Fabricado con tecnología avanzada en semiconductores, el IRGPH40F presenta una notable capacidad de ruptura de voltaje de 1200 V y funciona eficazmente en un rango amplio de temperaturas, desde -55°C hasta 150°C. Su encapsulado de agujero pasante TO-247AC garantiza una instalación confiable y una gestión térmica eficiente en diseños electrónicos exigentes. El transistor demuestra un rendimiento excelente en estado ON, con un voltaje Vce(on) máximo de 3,3 V a 15 V y 17 A, indicando características eficientes de conmutación de potencia.
El IGBT es particularmente adecuado para aplicaciones que requieren conmutación de alta potencia, como accionamientos de motores, inversores, fuentes de alimentación y sistemas de control industrial. Su diseño resistente aborda desafíos críticos como la eficiencia energética, la gestión térmica y la confiabilidad en entornos operativos difíciles.
Entre sus principales ventajas se encuentran su alta tolerancia de voltaje, su amplio rango de temperatura de funcionamiento y su probada fiabilidad en sistemas eléctricos complicados. El dispositivo ofrece funcionalidad de entrada estándar y es compatible con diversas arquitecturas de electrónica de potencia.
Los modelos alternativos o equivalentes en la misma categoría de producto incluyen el IRG4PH40UD, IRG4PH40K y IRG4PC40FD, los cuales brindan características de rendimiento y configuraciones de encapsulado similares. Estas opciones ofrecen a los ingenieros flexibilidad en el diseño de semiconductores de potencia.
Aunque el componente no cumple con la normativa RoHS debido a su contenido de plomo, sigue siendo una solución robusta para aplicaciones industriales especializadas y sistemas de conversión de energía que demandan componentes semiconductores de alto rendimiento.
IRGPH40F (1)
IRGPH40F Atributos Técnicos Clave
Transistores - IGBTs - Simples
Corriente - Colector (Ic) (Máx): 29A
Voltaje - Colletor-Emisor de Ruptura (Máx): 1200V
IRGPH40F Tamaño de Embalaje
Embalaje del Fabricante: TO-247AC
Material: Semiconductor
Tamaño: Estándar para TO-247AC
Tipo: Através de orificio
Características térmicas: Soporta temperaturas de operación desde -55°C hasta 150°C
Propiedades eléctricas: 3.3V @ 15V, 17A Vce(on) (Máx)
IRGPH40F Aplicación
Este transistor IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de International Rectifier está optimizado para diversas aplicaciones de conmutación de alta tensión en sectores como control de motores, calefacción por inducción y fuentes de alimentación, donde la eficiencia y la fiabilidad son fundamentales.
IRGPH40F Características
Soporta un voltaje de hasta 1200V en Ruptura Colector-Emisor
Proporciona una operación eficiente con una corriente máxima de colector de 29A, asegurando un rendimiento robusto en aplicaciones de alta potencia.
Diseñado para funcionar en un rango amplio de temperaturas de -55°C a 150°C, garantizando fiabilidad en condiciones extremas.
Capacidad de potencia de 160W.
Nivel de sensibilidad a la humedad 1, indicando alta durabilidad y menores riesgos de degradación en exposición a la humedad.
IRGPH40F Características de Calidad y Seguridad
Presenta una alta tolerancia a cambios térmicos y eléctricos debido a su resistente paquete TO-247AC.
No cumple con RoHS, contiene plomo, pero está estructurado para un alto rendimiento y una vida útil prolongada en entornos exigentes.
IRGPH40F Compatibilidad
Tipo de montaje: A través de orificio, compatible con ensamblajes estándar con socket TO-247AC.
Compatible con configuraciones de embalaje al por mayor para montaje en electrónica.
IRGPH40F Hoja de Datos en PDF
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