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International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRL1104LPBF

En stock 4034 pcs Precio de referencia (en dólares estadounidenses)
100+
$0.20
32400+
$0.188
Fabricante Número de pieza:
IRL1104LPBF
Fabricante / Marca
International Rectifier (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
Especificaciones:
IRL1104LPBF.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 4034 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza IRL1104LPBF
Fabricante / Marca International Rectifier (Infineon Technologies)
Cantidad de stock 4034 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 40V 104A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ IRL1104LPBF Hojas de datos IRL1104LPBF Detalles PDF
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-262
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 8 mOhm @ 62A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2.4W (Ta), 167W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres *IRL1104LPBF
SP001573746
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3445pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 68nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40V
Descripción detallada N-Channel 40V 104A (Tc) 2.4W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 104A (Tc)

embalaje

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