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LAPIS Semiconductor
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DTA115EUAT106

Fabricante Número de pieza:
DTA115EUAT106
Fabricante / Marca
LAPIS Semiconductor
Parte de la descripción:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Especificaciones:
DTA115EUAT106(1).pdfDTA115EUAT106(2).pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 119636 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza DTA115EUAT106
Fabricante / Marca LAPIS Semiconductor
Cantidad de stock 119636 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ DTA115EUAT106 Hojas de datos DTA115EUAT106 Detalles PDF
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo UMT3
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 100 kOhms
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Potencia - Max 200mW
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323
Otros nombres DTA115EUAT106DKR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 20mA
Número de pieza base DTA115

embalaje

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