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LAPIS Semiconductor
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IMD1AT108

Fabricante Número de pieza:
IMD1AT108
Fabricante / Marca
LAPIS Semiconductor
Parte de la descripción:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Hojas de datos:
IMD1AT108.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 24400 pzas en stock disponibles.
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza IMD1AT108
Fabricante / Marca LAPIS Semiconductor
Cantidad de stock 24400 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ IMD1AT108 Hojas de datos IMD1AT108 Detalles PDF
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SMT6
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) -
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Potencia - Max 300mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-74, SOT-457
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) -
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

embalaje

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