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NXP Semiconductors / Freescale
PMN35EN,115 ImageVer imagen más grande
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PMN35EN,115

Fabricante Número de pieza:
PMN35EN,115
Fabricante / Marca
NXP Semiconductors / Freescale
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Especificaciones:
PMN35EN,115.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 6400 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza PMN35EN,115
Fabricante / Marca NXP Semiconductors / Freescale
Cantidad de stock 6400 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ PMN35EN,115 Hojas de datos PMN35EN,115 Detalles PDF
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 6-TSOP
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 31 mOhm @ 5.1A, 10V
La disipación de energía (máximo) 500mW (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-74, SOT-457
Otros nombres 934065376115
PMN35EN115
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 334pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción detallada N-Channel 30V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)

embalaje

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