DRAMeXchange dijo que el precio del contrato DRAM en agosto de este año fue el mismo que el mes anterior, y el precio promedio de DDR4 8GB llegó a $ 25.5. Aunque el precio del contrato de septiembre todavía se está negociando, es probable que se mantenga estable. Mirando hacia 2020, debido a la orientación orientada a las ganancias de los tres principales fabricantes de DRAM, la estimación del gasto de capital se reducirá al menos en un 10% en comparación con este año. El crecimiento anual de la producción el próximo año también es el más bajo en los últimos 10 años, solo 12.5%, sentando una cierta base para el repunte de los precios.
Del lado del mercado, con la aprobación del gobierno japonés para exportar materias primas clave de semiconductores, el problema comercial entre Japón y Corea del Sur comenzó en julio, pero durante el período, los clientes OEM se vieron afectados por factores inciertos y factores psicológicos esperados, que causaron las existencias de las existencias para aumentar. El nivel de agua del stock ha disminuido gradualmente, avanzando hacia niveles de agua normales.
Además, la tercera temporada coincide con la temporada alta tradicional, y Estados Unidos comenzará a imponer aranceles a los productos electrónicos exportados a algunos continentes a principios de diciembre, lo que también tiene un efecto de envío anticipado. La demanda es más fuerte de lo esperado, lo que permite a los fabricantes de DRAM negociar precios. La actitud fue más firme, y el precio general del tercer trimestre revirtió la caída original y se mantuvo estable.
Jibang analizó además que el plan de expansión de las tres principales fábricas originales de DRAM se ha vuelto conservador. Por ejemplo, la planta Pyeongtaek II de Samsung está a punto de completarse, pero no ingresará a la transferencia comercial hasta el segundo trimestre de 2020, y el equipo recién agregado solo respalda la transición al futuro nanoproceso 1Z, la cantidad total de película será será más o menos lo mismo que este año.
La última planta M16 de SK Hynix se completará en la segunda mitad del próximo año. El aumento más rápido en la capacidad de producción será hasta 2021, y la antigua fábrica M10 se convertirá gradualmente en OEM. Se estima que el volumen total de producción de DRAM no aumentará ni disminuirá el próximo año.
La planta de construcción F que Micron agregó este año en la planta de Hiroshima también respaldará la transferencia al nanoproceso 1Z. La capacidad general de la planta de Hiroshima no ha aumentado. La nueva planta A3 que está construyendo Micron Storage en Taiwán también respaldará el proceso de 1Znm en la etapa inicial y aumentará la producción a corto plazo. La oportunidad no es grande, sin embargo, Jibang cree que la base de la planta A3 no es pequeña, y aún existe la posibilidad de una nueva capacidad en el futuro.
En términos de fábricas de tierra, actualmente hay dos bases de producción de DRAM. El mayor Hefei Changxin se ha puesto en producción. Los productos iniciales son principalmente DDR4 de 8 Gb. En la primera mitad del próximo año, habrá productos LPDDR4 de 8 Gb, que continuarán en producción en masa, pero se espera que lleguen. En 2021, la capacidad de producción tendrá la oportunidad de alcanzar 100,000 o más de la carga completa.
Aunque Fujian Jinhua se vio afectado por la prohibición de los EE. UU., Los ingenieros de la fábrica no podían mantener el equipo de los EE. UU. Se espera que la película esté dentro de las 10,000 unidades el próximo año.
En general, Jibang estima que en 2020, el volumen de inversión DRAM de China continental representará menos del 3% de la inversión global, y los resultados de producción independientes seguirán siendo limitados. En el futuro, la industria de la memoria continental aún necesita superar los desafíos de rendimiento, construcción de máquinas e IP, y se debe seguir observando el momento exacto del impacto en el suministro general de la industria DRAM.