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FDD13AN06A0

En stock 2000 pcs Precio de referencia (en dólares estadounidenses)
1+
$2.60
Fabricante Número de pieza:
FDD13AN06A0
Fabricante / Marca
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Especificaciones:
FDD13AN06A0.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 2000 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza FDD13AN06A0
Fabricante / Marca AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Cantidad de stock 2000 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ FDD13AN06A0 Hojas de datos FDD13AN06A0 Detalles PDF
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo DPAK
Serie PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs 13.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo) 115W (Tc)
embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres FDD13AN06A0CT
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 29nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V
Descripción detallada N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Número de pieza base FDD13AN06

embalaje

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