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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQPF9N90C

En stock 18500 pcs Precio de referencia (en dólares estadounidenses)
1+
$0.51
Fabricante Número de pieza:
FQPF9N90C
Fabricante / Marca
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
Hojas de datos:
FQPF9N90C.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 18500 pzas en stock disponibles.
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza FQPF9N90C
Fabricante / Marca AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Cantidad de stock 18500 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ FQPF9N90C Hojas de datos FQPF9N90C Detalles PDF
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220F
Serie QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo) 68W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2730pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 58nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900V
Descripción detallada N-Channel 900V 8A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

embalaje

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