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Nexperia USA Inc.
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PMXB56EN

Fabricante Número de pieza:
PMXB56EN
Fabricante / Marca
Nexperia USA Inc.
Parte de la descripción:
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Especificaciones:
PMXB56EN.pdf
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
Nuevo original, 4936 pzas en stock disponibles.
Modelo ECAD:
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS

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Número de pieza PMXB56EN
Fabricante / Marca Nexperia USA Inc.
Cantidad de stock 4936 pcs Stock
Categoría Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja
Descripción MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
RFQ PMXB56EN Hojas de datos PMXB56EN Detalles PDF
Voltaje - Prueba 209pF @ 15V
Tensión - Desglose DFN1010D-3
VGS (th) (Max) @Id 55 mOhm @ 3.2A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Serie -
Estado RoHS Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs 3.2A (Ta)
Polarización 3-XDFN Exposed Pad
Otros nombres 1727-1477-2
568-10948-2
568-10948-2-ND
934067234115
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante PMXB56EN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6.3nC @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2V @ 250µA
Característica de FET N-Channel
Descripción ampliada N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las -
Descripción MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30V
relación de capacidades 400mW (Ta), 8.33W (Tc)

embalaje

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